ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > BTS282Z E3230
Datasheet下载- 型号： BTS282Z E3230
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BTS282Z E3230由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BTS282Z E3230价格参考。InfineonBTS282Z E3230封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 49V 80A（Tc） 300W（Tc） P-TO220-7-230。您可以下载BTS282Z E3230参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BTS282Z E3230 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 温度保护 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BTS282Z_DS_12.pdf?folderId=db3a3043163797a6011667aa084c0e01&fileId=db3a30432239cccd0123050dbba16f1a |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BTS282Z E3230 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TEMPFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 240µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 232nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.5 毫欧 @ 36A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-7-230 |
| 其它名称 | BTS282ZE3230 |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-7 |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 49V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
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